ICP光谱分析仪排行榜 国产ICP光谱选择

钢研纳克Plasma 1000 单道扫描ICP光谱仪
1.   光路形式：Czerny-Turner型 单道扫描ICP光谱仪
2.   光室恒温：(30±0.2)℃      
3.   光栅类型：离子刻蚀全息平面光栅 
4.   分辨率：不大于0.007nm  
5.   刻线密度：3600g/mm           
6.   高频发生器震荡频率：40.68MHz   功率稳定度：0.1%（长期25℃典型值） 
7.   震荡类型：自激式        
8.   进样方式：蠕动泵进样 配有多种雾室（旋流雾室、双筒雾室和耐氢氟酸雾室）
9.   雾化器：同心雾化器
10. 重复性：RSD ≤1.0%
11. 稳定性：RSD ≤2.0%（2小时）
12. 冷却气：10-20L/min
13. 气：0-1.5 L/min
14. 载气：0.4-1L/min
15. 尺寸：1550mm×759mm×1340mm（长×宽×高）
16. 重量：240公斤

Plasma2000型电感耦合等离子体发射光谱仪是钢研纳克“国家重大科学仪器设备开发专项”成果。采用中阶梯光栅光学结构和科研级CCD器实现全谱采集。仪器稳定性好、限低、快速分析、运行成本低。
钢研纳克Plasma2000 全谱电感耦合等离子体发射光谱仪可用于地质、冶金、稀土及磁材料、环境、医药卫生、生物、海洋、石油、化工新型材料、核工业、农业、食品商检、水质等各领域及学科的样品分析。可以快速、准确地从微量到常量约70种元素。

钢研纳克 Plasma2000型全谱等离子体光谱仪 通过
仪器信息网 2015/10/15 
2015年10月14日，中国分析测试协会组织业内在北京对钢研纳克技术有限公司的“Plasma2000型全谱等离子体光谱仪”3项成果进行了。本次组成员包括：清华大学张新荣教授、中国分析测试协会张渝英、中国分析测试协会汪正范研究员、中国科学院科学仪器研究中心于科岐研究员、北分瑞利仪器有限公司章诒学教授、北京科技大学刘杰民教授。钢研纳克技术有限公司贾云海总经理、技术中心沈学静教授、项目负责人及项目骨干出席本次会。
本次会由组组长张新荣教授主持，项目组向组成员详细汇报了成果情况，组审议了成果研制报告、成果查新报告、检验报告和用户报告等项目资料，并观看了仪器现场操作演示，进行了质询。在此基础上，们进行了认真讨论，一致同意并通过了“Plasma2000型全谱等离子体光谱仪”的仪器。
结论如下：
“Plasma2000型全谱等离子体光谱仪” 技术指标达到：波长范围：165~900nm；200nm处分辨率0.007nm；固态射频发生器，功率范围800W~1600W，连续1瓦可调，功率稳定性优于0.1%，具有自动匹配调谐功能；软件一键点火，电路具有全自动保护功能；具有仪器参数自动优化功能；具有激光剥蚀进样系统接口，可配备**进样系统、高盐和耐氢氟酸进样系统，可使用**进样系统直接测试油品。具有（1）成功克服了固态射频发生器、高分辨二维全谱光谱系统等关键技术；（2）的高分辨率二维分光系统，*切换光路，一次曝光即可获取全部谱线数据；（3）建立了多种样品分析的方法数据库等创新点。该仪器技术指标已达到国内同类产品水平，已实现销售，具有良好市场前景。
以此次会为起点，钢研纳克将再接再厉，不断推出具有自主知识产权的科学仪器产品，在仪器应用方法的开发方面进一步加大投入，促进国内分析仪器产业的进步。

Plasma 3000型和Plasma 2000型电感耦合等离子体发射光谱仪测定工业硅中杂质元素含量
关键词
Plasma 3000，Plasma 2000，工业硅，耐氢氟酸进样系统
国家产品标准GB/T2881-2014《工业硅》中规定，工业硅中杂质元素采用电感耦合等离子体发射光谱仪测定。本实验参照标准GB/T14849.4-2014《工业硅化学分析方法*四部分：杂质元素含量测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法》测定工业硅中铝、铬、钙、硼、铜、铁、镁、镍、锰、磷、钠、钛的元素含量。对工业硅样品进行对比测试，结果与客户化学法基本一致。
仪器特点
Plasma 3000型和Plasma 2000型电感耦合等离子体发射光谱仪（钢研纳克江苏技术研究院有限公司）是使用方便、操作简单、测试快速的全谱ICP-OES分析仪，具有良好的分析精度和稳定性。
Plasma3000
Ø 固态射频发生器，**高稳定光源；
Ø 大面积背照式CCD芯片，宽动态范围；
Ø 中阶梯光栅与棱镜交叉色散结构，体积小巧；
Ø 多元素同时分析，全谱瞬态直读。
Ø 多种进样系统，可选择性好；
Ø 垂直炬管，双向观测，检出限更加理想；
Plasma2000
Ø 固态射频发生器，**高稳定光源；
Ø 大面积背照式CCD芯片，宽动态范围；
Ø 中阶梯光栅与棱镜交叉色散结构，体积小巧；
Ø 多元素同时分析，全谱瞬态直读；
Ø 多种进样系统，可选择性好；
Ø 垂直炬管水平观测，耐盐性更佳。
样品前处理
1. Al、Ca、Cr、Cu、Fe、Mg、Ni、Mn、P、Na、Ti含量测定：
Ø 称取1g样品，放置于250mL聚四氟乙烯烧杯，用少许水清洗杯壁并润湿样品；
Ø 分次加入15mL～20mL氢氟酸，待反应停止后加滴加硝酸至样品完全溶解，然后加入3mL，加热冒烟，待白烟冒尽，取下冷却。
Ø 加入5mL盐酸和1mL硝酸，用少许水洗杯壁，加热使残渣完全溶解，冷却至室温，转移至50mL塑料容量瓶中，用水稀释至刻度，摇匀；
Ø 随同做空白实验。
2. B含量测定
Ø 称取1g样品，放置于250mL聚四氟乙烯烧杯，用少许水清洗杯壁并润湿样品；
Ø 分次加入15mL～20mL氢氟酸，待反应停止后，滴加硝酸至样品完全溶解，过量1mL，待反应停止后，加热至近干（控制温度低于140℃），取下冷却；
Ø 加入5mL盐酸和1mL硝酸低温溶解残渣（温度低于80℃），待样品完全溶解后，冷却至室温，转移至50mL塑料容量瓶中，用水稀释至刻度，摇匀。
Ø 随同做空白实验。
注：
1) 工业硅中有些元素含量，使用试剂和水需要高纯，器皿清洁；
2) 标准溶液配置时注意介质干扰，建议P、Na、B单配置；
3) 测量时，采用耐氢氟酸进样系统；
4) 样品溶解时，氢氟酸用量较大，注意器皿采用聚四氟乙烯和塑料；
标准曲线配置
标准溶液配置时，可以先配置100μg/mL混合标准溶液，配置时按下表1加入体积数配置曲线。
表1 标准曲线配置
注：
1) 标准溶液配置时注意介质干扰，建议P、Na、B单配置，浓度梯度同上表；
2) 配置曲线时，酸度和样品保持一致；
元素分析谱线
实验考虑各待测元素谱线之间的干扰及基体干扰，并选择合适的扣背景位置，经实验，本文选择分析谱线如下表2所示。
表2 各元素分析谱线及线性系数
测试结果
1. 标准样品测试结果、精密度与回收率
按照方法，测试了标准样品金属硅FjyJ0401，同时加入100微克做回收率实验，实验结果如表3所示。回收率在98.75%～106.93%，结果令人满意。
表3 实验结果、精密度和回收率(n=11)
2. 样品比对实验
采用Plasma2000型和Plasma3000型仪器测量客户考察样品，与客户化学法比对，结果如表4所示。通过比对，仪器测定值与化学法基本一致。
表4 结果比对
注：“-” 客户未提供化学法数据
结论
使用Plasma3000和Plasma2000能够很好的解决工业硅中杂质元素分析问题，完全满足国家标准GB/T2881-2014《工业硅》和GB/T14849.4-2014《工业硅化学分析方法*四部分：杂质元素含量测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法》要求。
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